存通 来源：三星官方新闻 三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的过英工作认证测试，将用于下一代AI加速器的伟达关键内存栈。三星表示，认证为全球AI芯片供应链提供更多选择。加速通过优化热管理工艺和先进的负载硅通孔技术，此举将打破SK海力士在HBM市场的部署垄断格局，目前三星已开始向英伟达批量供货，存通业内分析认为，过英工作预计下半年搭载于H200及后续GPU中。伟达HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，认证显著降低延迟。加速相比上一代HBM3能效提升约20%。负载该产品采用12层堆叠设计，部署数据传输速率高达9.6Gbps，存通单颗容量达36GB，